BSS84DW-7-F
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- 制造商编号：
- BSS84DW-7-F
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：85651
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.143376 | ￥5.14 |
| 10 | ￥4.043267 | ￥40.43 |
| 100 | ￥2.423101 | ￥242.31 |
| 500 | ￥2.243942 | ￥1121.97 |
| 1000 | ￥1.525869 | ￥1525.87 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 130 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 0.05 S
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 7.500 mg
BSS84DW-7-F 同类别型号
注
BSS84DW-7-F
型号：BSS84DW-7-F
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：85651 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.143376 |
| 10+： | ￥4.043267 |
| 100+： | ￥2.423101 |
| 500+： | ￥2.243942 |
| 1000+： | ￥1.525869 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.14