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BSS8402DW-7-F

DIODES(美台)
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制造商编号:
BSS8402DW-7-F
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 0.972295 2916.89
6000 0.931928 5591.57
9000 0.838763 7548.87
30000 0.826332 24789.96
75000 0.776606 58245.45

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V, 50 V

漏极电流 115 mA, 130 mA

漏源电阻 7.5 Ohms, 10 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V, 800 mV

栅极电荷 -

耗散功率 200 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

正向跨导(Min) 0.08 S, 0.05 S

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 11 ns, 18 ns

典型接通延迟时间 7 ns, 10 ns

外形参数

高度 1 mm

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor

单位重量 7.500 mg

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BSS8402DW-7-F

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型号:BSS8402DW-7-F

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥0.972295
6000+: ¥0.931928
9000+: ¥0.838763
30000+: ¥0.826332
75000+: ¥0.776606

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