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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.972295 | ¥2916.89 |
6000 | ¥0.931928 | ¥5591.57 |
9000 | ¥0.838763 | ¥7548.87 |
30000 | ¥0.826332 | ¥24789.96 |
75000 | ¥0.776606 | ¥58245.45 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V, 50 V
漏极电流 115 mA, 130 mA
漏源电阻 7.5 Ohms, 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 0.08 S, 0.05 S
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns, 18 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 10 ns
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 7.500 mg
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0BSS8402DW-7-F
型号:BSS8402DW-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
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3000+: | ¥0.972295 |
6000+: | ¥0.931928 |
9000+: | ¥0.838763 |
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