
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.031318 | ¥8.03 |
| 10 | ¥4.89456 | ¥48.95 |
| 100 | ¥3.11403 | ¥311.40 |
| 500 | ¥2.341206 | ¥1170.60 |
| 1000 | ¥2.091478 | ¥2091.48 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V, 50 V
漏极电流 115 mA, 130 mA
漏源电阻 7.5 Ohms, 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 0.08 S, 0.05 S
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns, 18 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 10 ns
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 7.500 mg
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0BSS8402DW-7-F
型号:BSS8402DW-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.031318 |
| 10+: | ¥4.89456 |
| 100+: | ¥3.11403 |
| 500+: | ¥2.341206 |
| 1000+: | ¥2.091478 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.03