EM6M2T2R
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.561491 | ￥2.81 |
| 50 | ￥0.500736 | ￥25.04 |
| 150 | ￥0.470358 | ￥70.55 |
| 500 | ￥0.447573 | ￥223.79 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1 Ohms, 1.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V, - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 17 ns
正向跨导（Min） 200 mS
上升时间 10 ns, 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 15 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 EM6M2
单位重量 6 mg
EM6M2T2R 同类别型号
注
EM6M2T2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EM6M2T2R
数据手册PDF。
EM6M2T2R
型号：EM6M2T2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.561491 |
| 50+： | ￥0.500736 |
| 150+： | ￥0.470358 |
| 500+： | ￥0.447573 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00