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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.652808 | ¥4958.42 |
6000 | ¥1.546162 | ¥9276.97 |
15000 | ¥1.439584 | ¥21593.76 |
30000 | ¥1.364919 | ¥40947.57 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.6 A, 1.9 A
漏源电阻 90 mOhms, 300 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 3.7 nC, 3.9 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns, 8 ns
正向跨导(Min) 2.6 S, 2.6 S
上升时间 4 ns, 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns, 22 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns
高度 0.94 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0NTGD4167CT1G
型号:NTGD4167CT1G
品牌:ON
供货:锐单
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3000+: | ¥1.652808 |
6000+: | ¥1.546162 |
15000+: | ¥1.439584 |
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