NTGD4167CT1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 2.6 A, 1.9 A

漏源电阻 90 mOhms, 300 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 3.7 nC, 3.9 nC

耗散功率 1.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 2 ns, 8 ns

正向跨导（Min） 2.6 S, 2.6 S

上升时间 4 ns, 8 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 14 ns, 22 ns

典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns

高度 0.94 mm

长度 3 mm

宽度 1.5 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 20 mg