SI6913DQ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI6913DQ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：18000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.888458 | ￥17.89 |
| 10 | ￥15.993606 | ￥159.94 |
| 100 | ￥12.470244 | ￥1247.02 |
| 500 | ￥10.301898 | ￥5150.95 |
| 1000 | ￥8.133021 | ￥8133.02 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 28 nC
耗散功率 1.14 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 80 ns
正向跨导（Min） 25 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 45 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI6913DQ-GE3
单位重量 158 mg
SI6913DQ-T1-GE3 同类别型号
注
SI6913DQ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI6913DQ-T1-GE3
数据手册PDF。
SI6913DQ-T1-GE3
型号：SI6913DQ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：18000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.888458 |
| 10+： | ￥15.993606 |
| 100+： | ￥12.470244 |
| 500+： | ￥10.301898 |
| 1000+： | ￥8.133021 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.89