TSM60NB099PW C1G
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- 制造商编号：
- TSM60NB099PW C1G
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
- 渠道：
- digikey
库存 ：2059
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥91.681696 | ￥91.68 |
| 10 | ￥82.859495 | ￥828.59 |
| 25 | ￥79.004416 | ￥1975.11 |
| 100 | ￥65.51658 | ￥6551.66 |
| 250 | ￥61.662488 | ￥15415.62 |
| 500 | ￥57.808645 | ￥28904.32 |
| 1000 | ￥52.027757 | ￥52027.76 |
| 2500 | ￥50.10071 | ￥125251.77 |
| 5000 | ￥47.403019 | ￥237015.10 |
规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 86 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 329 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 87 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB099PW
单位重量 6 g
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注
TSM60NB099PW C1G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM60NB099PW C1G
数据手册PDF。
TSM60NB099PW C1G
型号：TSM60NB099PW C1G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：2059 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥91.681696 |
| 10+： | ￥82.859495 |
| 25+： | ￥79.004416 |
| 100+： | ￥65.51658 |
| 250+： | ￥61.662488 |
| 500+： | ￥57.808645 |
| 1000+： | ￥52.027757 |
| 2500+： | ￥50.10071 |
| 5000+： | ￥47.403019 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥91.68