FCP190N60E
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- 制造商编号：
- FCP190N60E
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V TO220-3
- 渠道：
- 国内现货国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.757869 | ￥24.76 |
| 10 | ￥22.226069 | ￥222.26 |
| 100 | ￥18.209917 | ￥1820.99 |
| 500 | ￥15.501563 | ￥7750.78 |
| 1000 | ￥13.073612 | ￥13073.61 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20.6 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 101 ns
典型接通延迟时间 23 ns
外形参数
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 600 V N-Channel MOSFET
单位重量 2 g
FCP190N60E 同类别型号
注
FCP190N60E品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FCP190N60E
数据手册PDF。
FCP190N60E
型号：FCP190N60E
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.757869 |
| 10+： | ￥22.226069 |
| 100+： | ￥18.209917 |
| 500+： | ￥15.501563 |
| 1000+： | ￥13.073612 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.76