NTLUD4C26NTAG

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 7.3 A

漏源电阻 21 mOhms, 21 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 600 mV

栅极电荷 8 nC

耗散功率 1.7 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 1.7 ns, 1.7 ns

正向跨导（Min） 23 S, 23 S

上升时间 15 ns, 15 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 13 ns, 13 ns

典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8.500 mg