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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标名 SupreMOS
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 10.8 A
漏源电阻 255 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 35.6 nC
耗散功率 94 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 13.5 S
上升时间 9.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 13.6 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 N-Channel MOSFET
单位重量 2 g
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0FCP11N60N
型号:FCP11N60N
品牌:ON
供货:锐单
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