DMT10H015LCG-7
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- 制造商编号：
- DMT10H015LCG-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：8000
货期：（7~10天）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥5.524608 | ￥11049.22 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 9.4 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 33.3 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 10 mg
DMT10H015LCG-7 同类别型号
注
DMT10H015LCG-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMT10H015LCG-7、查询DMT10H015LCG-7代理商；
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替代型号
、DMT10H015LCG-7
数据手册PDF
。
DMT10H015LCG-7
型号：DMT10H015LCG-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：8000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥5.524608 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00