
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥24.851629 | ¥24.85 |
| 10 | ¥15.744415 | ¥157.44 |
| 100 | ¥10.52709 | ¥1052.71 |
| 500 | ¥8.286806 | ¥4143.40 |
| 1000 | ¥7.566108 | ¥7566.11 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 2 ns
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SQSA80ENW-T1_GE3
型号:SQSA80ENW-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥24.851629 |
| 10+: | ¥15.744415 |
| 100+: | ¥10.52709 |
| 500+: | ¥8.286806 |
| 1000+: | ¥7.566108 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.85