
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.410504 | ¥9.41 |
| 200 | ¥3.645633 | ¥729.13 |
| 500 | ¥3.516162 | ¥1758.08 |
| 1000 | ¥3.454834 | ¥3454.83 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 5.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 65.4 nC
耗散功率 146 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 32 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDP053N08B_F102
单位重量 2 g
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0FDP053N08B-F102
型号:FDP053N08B-F102
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.410504 |
| 200+: | ¥3.645633 |
| 500+: | ¥3.516162 |
| 1000+: | ¥3.454834 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.41