商品描述
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16A (Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
230pF @ 15V, 590pF @ 15V