货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.985492 | ¥2956.48 |
6000 | ¥0.935392 | ¥5612.35 |
9000 | ¥0.868522 | ¥7816.70 |
30000 | ¥0.848511 | ¥25455.33 |
75000 | ¥0.826845 | ¥62013.38 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 16 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 1.35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 568 ns
正向跨导(Min) 7.9 S
上升时间 175 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 885 ns
典型接通延迟时间 79 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 0.800 mg
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0DMG3415UFY4Q-7
型号:DMG3415UFY4Q-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.985492 |
6000+: | ¥0.935392 |
9000+: | ¥0.868522 |
30000+: | ¥0.848511 |
75000+: | ¥0.826845 |
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