货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥8.604474 | ¥8.60 |
10 | ¥7.457212 | ¥74.57 |
100 | ¥5.162686 | ¥516.27 |
500 | ¥4.314209 | ¥2157.10 |
1000 | ¥3.671742 | ¥3671.74 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.3 A, 2 A
漏源电阻 44 mOhms, 62 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V, 1.5 V
栅极电荷 650 pC, 1.2 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.4 ns, 2.8 ns
正向跨导(Min) 4.6 S, 5 S
上升时间 2.3 ns, 7.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 8.3 ns, 15.3 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns, 5.6 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSL308C H6327 SP001101002
单位重量 20 mg
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0BSL308CH6327XTSA1
型号:BSL308CH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.604474 |
10+: | ¥7.457212 |
100+: | ¥5.162686 |
500+: | ¥4.314209 |
1000+: | ¥3.671742 |
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单价:¥0.00总价:¥8.60