SIHH068N60E-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIHH068N60E-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 600V POWERPAK 8X8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥94.187678 | ￥94.19 |
| 10 | ￥85.046273 | ￥850.46 |
| 100 | ￥70.414247 | ￥7041.42 |
| 500 | ￥61.316063 | ￥30658.03 |
| 1000 | ￥53.404415 | ￥53404.42 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 34 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 202 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导（Min） 9.3 S
上升时间 148 ns
晶体管类型 1 N-Channel E-Series Power MOSFET
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 56 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
SIHH068N60E-T1-GE3 同类别型号
注
SIHH068N60E-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHH068N60E-T1-GE3
数据手册PDF。
SIHH068N60E-T1-GE3
型号：SIHH068N60E-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥94.187678 |
| 10+： | ￥85.046273 |
| 100+： | ￥70.414247 |
| 500+： | ￥61.316063 |
| 1000+： | ￥53.404415 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥94.19