EPC2111
库存 ：3129
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥41.367972 | ￥41.37 |
| 10 | ￥37.089504 | ￥370.90 |
| 25 | ￥35.06644 | ￥876.66 |
| 100 | ￥28.050884 | ￥2805.09 |
| 250 | ￥26.492502 | ￥6623.13 |
| 500 | ￥24.934119 | ￥12467.06 |
| 1000 | ￥21.349841 | ￥21349.84 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2111
制造商
EPS
商品描述
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A (Ta)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
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注
EPC2111
型号：EPC2111
品牌：EPS
供货：锐单
库存：3129 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥41.367972 |
| 10+： | ￥37.089504 |
| 25+： | ￥35.06644 |
| 100+： | ￥28.050884 |
| 250+： | ￥26.492502 |
| 500+： | ￥24.934119 |
| 1000+： | ￥21.349841 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥41.37