
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.847187 | ¥5.85 |
| 10 | ¥4.948716 | ¥49.49 |
| 100 | ¥3.441284 | ¥344.13 |
| 500 | ¥2.687139 | ¥1343.57 |
| 1000 | ¥2.184138 | ¥2184.14 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 16 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 1.35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 568 ns
正向跨导(Min) 7.9 S
上升时间 175 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 885 ns
典型接通延迟时间 79 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 0.800 mg
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0DMG3415UFY4Q-7
型号:DMG3415UFY4Q-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.847187 |
| 10+: | ¥4.948716 |
| 100+: | ¥3.441284 |
| 500+: | ¥2.687139 |
| 1000+: | ¥2.184138 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.85