货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.099696 | ¥5.10 |
10 | ¥4.316084 | ¥43.16 |
100 | ¥3.001358 | ¥300.14 |
500 | ¥2.343623 | ¥1171.81 |
1000 | ¥1.904923 | ¥1904.92 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 16 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 1.35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 568 ns
正向跨导(Min) 7.9 S
上升时间 175 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 885 ns
典型接通延迟时间 79 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 0.800 mg
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0DMG3415UFY4Q-7
型号:DMG3415UFY4Q-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.099696 |
10+: | ¥4.316084 |
100+: | ¥3.001358 |
500+: | ¥2.343623 |
1000+: | ¥1.904923 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.10