货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.108044 | ¥7.11 |
10 | ¥6.135365 | ¥61.35 |
100 | ¥4.25111 | ¥425.11 |
500 | ¥3.551778 | ¥1775.89 |
1000 | ¥3.02279 | ¥3022.79 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 23 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA910EDJ-GE3
单位重量 28 mg
购物车
0SIA910EDJ-T1-GE3
型号:SIA910EDJ-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.108044 |
10+: | ¥6.135365 |
100+: | ¥4.25111 |
500+: | ¥3.551778 |
1000+: | ¥3.02279 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.11