SIA910EDJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA910EDJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：2096
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.149909 | ￥8.15 |
| 10 | ￥7.034659 | ￥70.35 |
| 100 | ￥4.874218 | ￥487.42 |
| 500 | ￥4.072381 | ￥2036.19 |
| 1000 | ￥3.465857 | ￥3465.86 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 23 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA910EDJ-GE3
单位重量 28 mg
SIA910EDJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA910EDJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIA910EDJ-T1-GE3
数据手册PDF。
SIA910EDJ-T1-GE3
型号：SIA910EDJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2096 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.149909 |
| 10+： | ￥7.034659 |
| 100+： | ￥4.874218 |
| 500+： | ￥4.072381 |
| 1000+： | ￥3.465857 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.15