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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 53 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SQP10250E_GE3
型号:SQP10250E_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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货期:1-2天
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