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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 222 A
漏源电阻 2.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 152 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
正向跨导(Min) 222 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 74 ns
典型接通延迟时间 42 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FDP2D3N10C
型号:FDP2D3N10C
品牌:ON
供货:锐单
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货期:1-2天
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