FDP2D3N10C
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FDP2D3N10C
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥36.615286 | ￥36.62 |
| 50 | ￥29.217937 | ￥1460.90 |
| 100 | ￥26.142489 | ￥2614.25 |
| 500 | ￥23.066923 | ￥11533.46 |
| 1000 | ￥20.760278 | ￥20760.28 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 222 A
漏源电阻 2.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 152 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
正向跨导（Min） 222 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 74 ns
典型接通延迟时间 42 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
FDP2D3N10C 同类别型号
注
FDP2D3N10C品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FDP2D3N10C
数据手册PDF。
FDP2D3N10C
型号：FDP2D3N10C
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥36.615286 |
| 50+： | ￥29.217937 |
| 100+： | ￥26.142489 |
| 500+： | ￥23.066923 |
| 1000+： | ￥20.760278 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥36.62