
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥40.092932 | ¥40.09 |
| 10 | ¥36.041136 | ¥360.41 |
| 25 | ¥34.001073 | ¥850.03 |
| 100 | ¥26.520836 | ¥2652.08 |
| 250 | ¥25.840815 | ¥6460.20 |
| 500 | ¥22.440708 | ¥11220.35 |
| 1000 | ¥19.040601 | ¥19040.60 |
| 2500 | ¥18.768592 | ¥46921.48 |
| 5000 | ¥17.408549 | ¥87042.75 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 119 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 145 nC
耗散功率 175 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 94 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0SQP120N06-06_GE3
型号:SQP120N06-06_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥40.092932 |
| 10+: | ¥36.041136 |
| 25+: | ¥34.001073 |
| 100+: | ¥26.520836 |
| 250+: | ¥25.840815 |
| 500+: | ¥22.440708 |
| 1000+: | ¥19.040601 |
| 2500+: | ¥18.768592 |
| 5000+: | ¥17.408549 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥40.09