BSP170PE6327
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- BSP170PE6327
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥4.972059 | ￥4972.06 |
| 2000 | ￥4.539274 | ￥9078.55 |
| 3000 | ￥4.318521 | ￥12955.56 |
| 5000 | ￥4.070538 | ￥20352.69 |
| 7000 | ￥3.923828 | ￥27466.80 |
| 10000 | ￥3.781097 | ￥37810.97 |
| 25000 | ￥3.625666 | ￥90641.65 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSP170PE6327
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
300mOhm @ 1.9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
14nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
410pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
BSP170PE6327 同类别型号
注
BSP170PE6327品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购BSP170PE6327、查询BSP170PE6327代理商；
BSP170PE6327价格批发咨询客服；这里拥有
BSP170PE6327中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到BSP170PE6327
替代型号
、BSP170PE6327
数据手册PDF
。
BSP170PE6327
型号：BSP170PE6327
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥4.972059 |
| 2000+： | ￥4.539274 |
| 3000+： | ￥4.318521 |
| 5000+： | ￥4.070538 |
| 7000+： | ￥3.923828 |
| 10000+： | ￥3.781097 |
| 25000+： | ￥3.625666 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00