SQP120N10-09_GE3
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- 制造商编号：
- SQP120N10-09_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
- 渠道：
- digikey
库存 ：460
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥34.967548 | ￥34.97 |
| 10 | ￥31.433724 | ￥314.34 |
| 25 | ￥29.654456 | ￥741.36 |
| 100 | ￥23.130476 | ￥2313.05 |
| 250 | ￥22.537387 | ￥5634.35 |
| 500 | ￥19.571941 | ￥9785.97 |
| 1000 | ￥16.606496 | ￥16606.50 |
| 2500 | ￥16.36926 | ￥40923.15 |
| 5000 | ￥15.183082 | ￥75915.41 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 7.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 21 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SQP120N10-09_GE3 同类别型号
注
SQP120N10-09_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQP120N10-09_GE3
数据手册PDF。
SQP120N10-09_GE3
型号：SQP120N10-09_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：460 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥34.967548 |
| 10+： | ￥31.433724 |
| 25+： | ￥29.654456 |
| 100+： | ￥23.130476 |
| 250+： | ￥22.537387 |
| 500+： | ￥19.571941 |
| 1000+： | ￥16.606496 |
| 2500+： | ￥16.36926 |
| 5000+： | ￥15.183082 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥34.97