EPC2105
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起订量：500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 500 | ￥66.514598 | ￥33257.30 |
| 1000 | ￥59.863139 | ￥59863.14 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2105
制造商
EPS
商品描述
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.5A, 38A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
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注
EPC2105
型号：EPC2105
品牌：EPS
供货：锐单
库存：9000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 500+： | ￥66.514598 |
| 1000+： | ￥59.863139 |
货期：7-10天
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