TK10A60D(STA4,Q,M)
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- 制造商编号：
- TK10A60D(STA4,Q,M)
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
- 渠道：
- 国内现货digikey
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
TK10A60D(STA4,Q,M)
制造商
Toshiba(东芝)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
包装
Tube
系列
π-MOSVII
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
750mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
25nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1350pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220SIS
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack
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注
TK10A60D(STA4,Q,M)品牌厂家：Toshiba
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数据手册PDF。
TK10A60D(STA4,Q,M)
型号：TK10A60D(STA4,Q,M)
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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