SI3552DV-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI3552DV-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.55165 | ￥4654.95 |
| 6000 | ￥1.443753 | ￥8662.52 |
| 9000 | ￥1.403978 | ￥12635.80 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A, 1.8 A
漏源电阻 105 mOhms, 200 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC, 3.6 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3552DV-E3
单位重量 20 mg
SI3552DV-T1-E3 同类别型号
注
SI3552DV-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI3552DV-T1-E3
数据手册PDF。
SI3552DV-T1-E3
型号：SI3552DV-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.55165 |
| 6000+： | ￥1.443753 |
| 9000+： | ￥1.403978 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00