货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.890799 | ¥5672.40 |
6000 | ¥1.760434 | ¥10562.60 |
15000 | ¥1.706178 | ¥25592.67 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A, 1.8 A
漏源电阻 105 mOhms, 200 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC, 3.6 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3552DV-E3
单位重量 20 mg
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0SI3552DV-T1-E3
型号:SI3552DV-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.890799 |
6000+: | ¥1.760434 |
15000+: | ¥1.706178 |
货期:1-2天
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