货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.405119 | ¥1215.36 |
6000 | ¥0.35229 | ¥2113.74 |
15000 | ¥0.299462 | ¥4491.93 |
30000 | ¥0.281802 | ¥8454.06 |
75000 | ¥0.264217 | ¥19816.27 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 260 mA
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 870 pC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6.3 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 3.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN63D8LDW-7
型号:DMN63D8LDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.405119 |
6000+: | ¥0.35229 |
15000+: | ¥0.299462 |
30000+: | ¥0.281802 |
75000+: | ¥0.264217 |
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