货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥4.836271 | ¥14508.81 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 5.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 37.5 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.8 ns
上升时间 6.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.1 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 10 mg
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0DMT67M8LCG-13
型号:DMT67M8LCG-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.836271 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00