SI3552DV-T1-E3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI3552DV-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：12000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.697482 | ￥12.70 |
| 10 | ￥8.566975 | ￥85.67 |
| 100 | ￥5.888267 | ￥588.83 |
| 500 | ￥4.673287 | ￥2336.64 |
| 1000 | ￥4.273852 | ￥4273.85 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A, 1.8 A
漏源电阻 105 mOhms, 200 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC, 3.6 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3552DV-E3
单位重量 20 mg
SI3552DV-T1-E3 同类别型号
注
SI3552DV-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SI3552DV-T1-E3、查询SI3552DV-T1-E3代理商；
SI3552DV-T1-E3价格批发咨询客服；这里拥有
SI3552DV-T1-E3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI3552DV-T1-E3
替代型号
、SI3552DV-T1-E3
数据手册PDF。
SI3552DV-T1-E3
型号：SI3552DV-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：12000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.697482 |
| 10+： | ￥8.566975 |
| 100+： | ￥5.888267 |
| 500+： | ￥4.673287 |
| 1000+： | ￥4.273852 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.70