DMN63D8LDW-7
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- 制造商编号：
- DMN63D8LDW-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
- 渠道：
- digikey
库存 ：171238
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.034832 | ￥4.03 |
| 10 | ￥3.265693 | ￥32.66 |
| 100 | ￥1.734979 | ￥173.50 |
| 500 | ￥1.141354 | ￥570.68 |
| 1000 | ￥0.776075 | ￥776.07 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 260 mA
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 870 pC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6.3 ns
正向跨导（Min） 80 mS
上升时间 3.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
DMN63D8LDW-7 同类别型号
注
DMN63D8LDW-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN63D8LDW-7
数据手册PDF
。
DMN63D8LDW-7
型号：DMN63D8LDW-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：171238 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.034832 |
| 10+： | ￥3.265693 |
| 100+： | ￥1.734979 |
| 500+： | ￥1.141354 |
| 1000+： | ￥0.776075 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.03