
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.211409 | ¥17.21 |
| 10 | ¥14.294221 | ¥142.94 |
| 100 | ¥11.375867 | ¥1137.59 |
| 500 | ¥9.625787 | ¥4812.89 |
| 1000 | ¥8.16731 | ¥8167.31 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9.8 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFBC30APBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRFBC30APBF
型号:IRFBC30APBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.211409 |
| 10+: | ¥14.294221 |
| 100+: | ¥11.375867 |
| 500+: | ¥9.625787 |
| 1000+: | ¥8.16731 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.21