US6M2TR
库存 ：90138
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.391518 | ￥12.39 |
| 10 | ￥8.306907 | ￥83.07 |
| 100 | ￥5.704689 | ￥570.47 |
| 500 | ￥4.524282 | ￥2262.14 |
| 1000 | ￥4.135402 | ￥4135.40 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V, 30 V
漏极电流 1 A, 1.5 A
漏源电阻 240 mOhms, 390 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV, 500 mV
栅极电荷 1.6 nC, 2.1 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns, 10 ns
上升时间 9 ns, 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 15 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 9 ns
外形参数
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 US6M2
单位重量 7.500 mg
US6M2TR 同类别型号
注
US6M2TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、US6M2TR
数据手册PDF。
US6M2TR
型号：US6M2TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：90138 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.391518 |
| 10+： | ￥8.306907 |
| 100+： | ￥5.704689 |
| 500+： | ￥4.524282 |
| 1000+： | ￥4.135402 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.39