
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥35.082839 | ¥35.08 |
| 30 | ¥27.799442 | ¥833.98 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 144 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0FCHD190N65S3R0-F155
型号:FCHD190N65S3R0-F155
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥35.082839 |
| 30+: | ¥27.799442 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥35.08