2N7002DW-7-F
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- 制造商编号：
- 2N7002DW-7-F
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
- 渠道：
- 自营digikey
库存 ：3358
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.345733 | ￥0.35 |
| 30 | ￥0.333379 | ￥10.00 |
| 100 | ￥0.321037 | ￥32.10 |
| 500 | ￥0.296341 | ￥148.17 |
| 1000 | ￥0.283999 | ￥284.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 70 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 7.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 80 mS
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 7.500 mg
2N7002DW-7-F 同类别型号
注
2N7002DW-7-F
型号：2N7002DW-7-F
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：3358 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.345733 |
| 30+： | ￥0.333379 |
| 100+： | ￥0.321037 |
| 500+： | ￥0.296341 |
| 1000+： | ￥0.283999 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.35