
货期: 8周-10周
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥13.878955 | ¥34697.39 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 128 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 70 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD100N06S4-03 SP001028766
单位重量 330 mg
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0IPD100N06S403ATMA2
型号:IPD100N06S403ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥13.878955 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00