R6020ENZ1C9
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- 制造商编号：
- R6020ENZ1C9
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 20A TO247
- 渠道：
- digikey
库存 ：10
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥51.851635 | ￥51.85 |
| 10 | ￥46.524801 | ￥465.25 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 120 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 67 ns
正向跨导（Min） 5 S
上升时间 53 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 35 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 R6020ENZ1
单位重量 6 g
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注
R6020ENZ1C9品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、R6020ENZ1C9
数据手册PDF。
R6020ENZ1C9
型号：R6020ENZ1C9
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：10 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥51.851635 |
| 10+： | ￥46.524801 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥51.85