SIE848DF-T1-E3
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- 制造商编号：
- SIE848DF-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：22
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 22 | ￥3.646655 | ￥80.23 |
| 50 | ￥3.646655 | ￥182.33 |
| 100 | ￥3.646655 | ￥364.67 |
| 300 | ￥3.57715 | ￥1073.14 |
| 500 | ￥3.542465 | ￥1771.23 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIE848DF-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.6mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
138nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6100pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.2W (Ta), 125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
10-PolarPAK® (L)
封装/外壳
10-PolarPAK® (L)
SIE848DF-T1-E3 同类别型号
注
SIE848DF-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、SIE848DF-T1-E3
数据手册PDF。
SIE848DF-T1-E3
型号：SIE848DF-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 22+： | ￥3.646655 |
| 50+： | ￥3.646655 |
| 100+： | ￥3.646655 |
| 300+： | ￥3.57715 |
| 500+： | ￥3.542465 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00