货期: 8周-10周
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥538.720827 | ¥5387.21 |
30 | ¥514.358754 | ¥15430.76 |
100 | ¥459.979127 | ¥45997.91 |
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
商标名 HyperFET
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 36 ns
漏极电流 158 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 500 W
漏源电阻 12 mOhms
上升时间 85 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 180 ns
典型接通延迟时间 55 ns
漏源击穿电压 200 V
高度 9.65 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
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0IXFE180N20
型号:IXFE180N20
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
10+: | ¥538.720827 |
30+: | ¥514.358754 |
100+: | ¥459.979127 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00