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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.385408 | ¥4156.22 |
6000 | ¥1.293047 | ¥7758.28 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.9 A, 3.2 A
漏源电阻 80 mOhms, 110 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V, - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV, 450 mV
栅极电荷 2.3 nC, 7.4 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.5 ns, 12.4 ns
正向跨导(Min) 6 S, 8 S
上升时间 10.7 ns, 11.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 9.6 ns, 16 ns
典型接通延迟时间 6.3 ns, 5.8 ns
高度 1.05 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 85 mg
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0NTHD3100CT1G
型号:NTHD3100CT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.385408 |
6000+: | ¥1.293047 |
货期:1-2天
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