货期: 8周-10周
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥395.303627 | ¥3953.04 |
30 | ¥377.467108 | ¥11324.01 |
100 | ¥337.588715 | ¥33758.87 |
500 | ¥303.800843 | ¥151900.42 |
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
商标名 HyperFET
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 21 ns
漏极电流 22 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 500 W
漏源电阻 390 mOhms
上升时间 35 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 35 ns
漏源击穿电压 1 kV
高度 9.65 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
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0IXFE24N100
型号:IXFE24N100
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
10+: | ¥395.303627 |
30+: | ¥377.467108 |
100+: | ¥337.588715 |
500+: | ¥303.800843 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00