NTHD3100CT1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 3.9 A, 3.2 A

漏源电阻 80 mOhms, 110 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V, - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 600 mV, 450 mV

栅极电荷 2.3 nC, 7.4 nC

耗散功率 3.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 1.5 ns, 12.4 ns

正向跨导（Min） 6 S, 8 S

上升时间 10.7 ns, 11.7 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 9.6 ns, 16 ns

典型接通延迟时间 6.3 ns, 5.8 ns

高度 1.05 mm

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 85 mg