
货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ¥0.869458 | ¥3477.83 |
| 8000 | ¥0.816791 | ¥6534.33 |
| 12000 | ¥0.764067 | ¥9168.80 |
| 28000 | ¥0.700856 | ¥19623.97 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 118 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 10.8 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
购物车
0SSM6K211FE,LF
型号:SSM6K211FE,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 4000+: | ¥0.869458 |
| 8000+: | ¥0.816791 |
| 12000+: | ¥0.764067 |
| 28000+: | ¥0.700856 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00