货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥34.10859 | ¥34.11 |
10 | ¥30.610787 | ¥306.11 |
100 | ¥25.078507 | ¥2507.85 |
500 | ¥21.348901 | ¥10674.45 |
1000 | ¥18.005055 | ¥18005.06 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 76 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 97 nC
耗散功率 350 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0IXFP76N15T2
型号:IXFP76N15T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥34.10859 |
10+: | ¥30.610787 |
100+: | ¥25.078507 |
500+: | ¥21.348901 |
1000+: | ¥18.005055 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥34.11