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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 23.6 ns
典型接通延迟时间 17.3 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHF8N50L-E3
型号:SIHF8N50L-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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