货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥43.794671 | ¥43.79 |
10 | ¥39.531878 | ¥395.32 |
100 | ¥32.728662 | ¥3272.87 |
500 | ¥28.499889 | ¥14249.94 |
1000 | ¥24.822561 | ¥24822.56 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 22.4 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 86 nC
耗散功率 195.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R150CFDA SP000928274
单位重量 6 g
购物车
0IPW65R150CFDAFKSA1
型号:IPW65R150CFDAFKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥43.794671 |
10+: | ¥39.531878 |
100+: | ¥32.728662 |
500+: | ¥28.499889 |
1000+: | ¥24.822561 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥43.79