货期: 8周-10周
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥366.30116 | ¥3663.01 |
30 | ¥349.769753 | ¥10493.09 |
100 | ¥312.791608 | ¥31279.16 |
500 | ¥281.468944 | ¥140734.47 |
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
商标名 HyperFET
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 45 ns
漏极电流 47 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 500 W
漏源电阻 90 mOhms
上升时间 60 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 120 ns
典型接通延迟时间 45 ns
漏源击穿电压 500 V
高度 9.65 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
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0IXFE55N50
型号:IXFE55N50
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
10+: | ¥366.30116 |
30+: | ¥349.769753 |
100+: | ¥312.791608 |
500+: | ¥281.468944 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00