货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥2.870279 | ¥2870.28 |
2000 | ¥2.601192 | ¥5202.38 |
5000 | ¥2.421779 | ¥12108.89 |
10000 | ¥2.332106 | ¥23321.06 |
25000 | ¥2.272301 | ¥56807.53 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 320 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 -
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
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0ZVNL120GTA
型号:ZVNL120GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥2.870279 |
2000+: | ¥2.601192 |
5000+: | ¥2.421779 |
10000+: | ¥2.332106 |
25000+: | ¥2.272301 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00